NTMFS4C10NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS4C10NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMFS4C10NT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6.95 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

750mW (Ta), 23.6W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

NTMFS4C10NT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

44 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

987pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8.2A (Ta) 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTMFS4C10NT1G".

NTMFS4C10NAT3G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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