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NTS4001NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTS4001NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTS4001NT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-3 (SOT323)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

330mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

NTS4001NT1GOS
NTS4001NT1GOS-ND
NTS4001NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.3nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 270mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

270mA (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTS4001NT1G".

NTS4101PT1

Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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