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NTS4409NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTS4409NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTS4409NT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-3 (SOT323)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

350 mOhm @ 600mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

280mW (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

NTS4409NT1G-ND
NTS4409NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

15 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 700mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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NTS4173PT1G

Descripción: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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