NVF2955PT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NVF2955PT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVF2955PT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

185 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

492pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.3nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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DMN2170U-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

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