NVF5P03T3G

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Especificaciones

Número de pieza

NVF5P03T3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVF5P03T3G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 5.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.56W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

NVF5P03T3GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

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