NVMD4N03R2G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMD4N03R2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVMD4N03R2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A

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NVMFD5852NLT1G

Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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