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1284840Imagen NVMFD5C478NT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFD5C478NT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVMFD5C478NT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NVMFD5C478NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 20µA
  • Paquete del dispositivo
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    17 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Potencia - Max
    3.1W (Ta), 23W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    NVMFD5C478NT1GOSDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    50 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    325pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    6.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    9.8A (Ta), 27A (Tc)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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