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1881263Imagen NVMFD5C668NLT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFD5C668NLT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVMFD5C668NLT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    T6 60V S08FL DUAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NVMFD5C668NLT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 50µA
  • Paquete del dispositivo
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Potencia - Max
    3W (Ta), 57.5W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    NVMFD5C668NLT1GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    50 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1440pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    21.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15.5A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 57.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    15.5A (Ta), 68A (Tc)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NVMFD5C470NLT1G

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Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NVMFD5C470NLWFT1G

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Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU

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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL

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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL

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