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4383327Imagen SBAS16DXV6T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

SBAS16DXV6T1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SBAS16DXV6T1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT563
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SBAS16DXV6T1G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.25V @ 150mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    SOT-563
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    6ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    45 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    2 Independent
  • Descripción detallada
    Diode Array 2 Independent Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-563, SOT-666
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    200mA (DC)

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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