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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > SBC846BPDW1T2G

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Imagen SBC846BPDW1T2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

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Especificaciones

Número de pieza

SBC846BPDW1T2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SBC846BPDW1T2G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

65V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor

NPN, PNP
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

Automotive, AEC-Q101
Potencia - Max

380mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

SBC846BPDW1T2GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

15nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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