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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > SBC847CDXV6T1G

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Imagen SBC847CDXV6T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SBC847CDXV6T1G

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Especificaciones

Número de pieza

SBC847CDXV6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SBC847CDXV6T1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

45V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor

2 NPN (Dual)
Paquete del dispositivo

SOT-563
Serie

Automotive, AEC-Q101
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

15nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

BC847CD

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