SBC856BLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

SBC856BLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SBC856BLT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

65V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SBC856BLT1G-ND
SBC856BLT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

15nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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