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1927088Imagen SFT1450-HAMI Semiconductor / ON Semiconductor

SFT1450-H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SFT1450-H
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 40V 21A TP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SFT1450-H.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TP
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    28 mOhm @ 10.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1W (Ta), 23W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    715pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    14.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 21A (Ta) 1W (Ta), 23W (Tc) Through Hole TP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    21A (Ta)

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