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3140977Imagen SPZT651T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

SPZT651T1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SPZT651T1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 60V 2A SOT223-4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SPZT651T1G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 200mA, 2A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    SOT-223 (TO-261)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Otros nombres
    SPZT651T1G-ND
    SPZT651T1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    33 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    75MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    75 @ 1A, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    2A

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