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ALD111933SAL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ALD111933SAL
  • Fabricante / Marca
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ALD111933SAL.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.35V @ 1µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    EPAD®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    500 Ohm @ 5.9V
  • Potencia - Max
    500mW
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    1014-1052
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    10.6V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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