ALD111933MAL

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Especificaciones

Número de pieza

ALD111933MAL
Fabricante / Marca

Advanced Linear Devices, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ALD111933MAL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.35V @ 1µA
Paquete del dispositivo

8-MSOP
Serie

EPAD®
RDS (Max) @Id, Vgs

500 Ohm @ 5.9V
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Otros nombres

1014-1050
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

10.6V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-MSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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ALD114813SCL

Descripción: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Fabricantes: Advanced Linear Devices, Inc.

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