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ALD212900ASAL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ALD212900ASAL
  • Fabricante / Marca
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ALD212900ASAL.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    10mV @ 20µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    EPAD®, Zero Threshold™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    14 Ohm
  • Potencia - Max
    500mW
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    1014-1211
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    30pF @ 5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    10.6V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    80mA

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Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

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Descripción: 30MM PB MOM 120V TR 2NO BLU

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Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Fabricantes: Advanced Linear Devices, Inc.
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Descripción: PUSHBUTTON ILLUM 30MM

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