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AS4C32M16SA-7BINTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C32M16SA-7BINTR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    2ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-FBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    54-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-FBGA (8x8)
  • Frecuencia de reloj
    143MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns
AS4C32M16SB-6TINTR

AS4C32M16SB-6TINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16MD1-6BCNTR

AS4C32M16MD1-6BCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7TINTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SB-7TCNTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SA-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SA-7BCN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

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AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16MS-7BCNTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

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AS4C32M16MD1A-5BCNTR

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

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AS4C32M16MS-7BCN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

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AS4C32M16SB-6TIN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16MSA-6BIN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

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AS4C32M16SB-7TCN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SA-7TCN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16MSA-6BINTR

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AS4C32M16SA-7BCNTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

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AS4C32M16MD1A-5BCN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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