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AS4C32M16MS-7BCNTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C32M16MS-7BCNTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    AS4C32M16MS-7BCNTR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-BGA (9x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    54-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-BGA (9x8)
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns

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