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215228Imagen AS4C32M16SM-7TINAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16SM-7TIN

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25+
$13.448
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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C32M16SM-7TIN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    1450-1125
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns
AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C32M16SA-7TINTR

AS4C32M16SA-7TINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1A-5BIN

AS4C32M32MD1A-5BIN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2-25BCN

AS4C32M32MD2-25BCN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TCN

AS4C32M16SB-7TCN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2A-25BCN

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-6TINTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SM-7TINTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M32MD1-5BINTR

AS4C32M32MD1-5BINTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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AS4C32M32MD2-25BCNTR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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AS4C32M16SA-7TIN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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