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6679186Imagen AS4C32M32MD1-5BINTRAlliance Memory, Inc.

AS4C32M32MD1-5BINTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C32M32MD1-5BINTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AS4C32M32MD1-5BINTR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    90-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (32M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns

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AS4C32M32MD1A-5BIN

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TIN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SM-7TCNTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2A-25BCNTR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2A-25BCN

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SM-7TINTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M8D1-5TIN

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M16SB-7TCNTR

AS4C32M16SB-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SB-7TINTR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2-25BCN

AS4C32M32MD2-25BCN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M8D1-5TINTR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M8D1-5TCN

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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