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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C4M32MSA-6BINTR

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Imagen AS4C4M32MSA-6BINTR

Alliance Memory, Inc.

AS4C4M32MSA-6BINTR

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1000+

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Especificaciones

Número de pieza

AS4C4M32MSA-6BINTR
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS4C4M32MSA-6BINTR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología

SDRAM - Mobile
Paquete del dispositivo

90-FBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

90-VFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

128Mb (4M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-FBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.5ns

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