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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C4M16SA-7TCN
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1806053Imagen AS4C4M16SA-7TCNAlliance Memory, Inc.

AS4C4M16SA-7TCN

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$1.504
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$1.477
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$1.414
5076+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C4M16SA-7TCN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    2ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    1450-1262
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Mb (4M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    143MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns
AS4C4M32D1-5BCN

AS4C4M32D1-5BCN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M32MSA-6BINTR

AS4C4M32MSA-6BINTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M16SA-7TCNTR

AS4C4M16SA-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M16SA-6TINTR

AS4C4M16SA-6TINTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M32D1A-5BINTR

AS4C4M32D1A-5BINTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M32D1A-5BCNTR

AS4C4M32D1A-5BCNTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32D1A-5BIN

AS4C4M32D1A-5BIN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-6TCNTR

AS4C4M16SA-6TCNTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-6TCN

AS4C4M16SA-6TCN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M16SA-6TIN

AS4C4M16SA-6TIN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M32D1-5BIN

AS4C4M32D1-5BIN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M16SA-7B2CN

AS4C4M16SA-7B2CN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-7BCNTR

AS4C4M16SA-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-6TAN

AS4C4M16SA-6TAN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-7BCN

AS4C4M16SA-7BCN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C4M16SA-6TANTR

AS4C4M16SA-6TANTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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AS4C4M32MSA-6BIN

AS4C4M32MSA-6BIN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA

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AS4C4M32D1A-5BCN

AS4C4M32D1A-5BCN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-7B2CNTR

AS4C4M16SA-7B2CNTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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