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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C512M8D3LA-12BIN
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6201078Imagen AS4C512M8D3LA-12BINAlliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3LA-12BIN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C512M8D3LA-12BIN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.AS4C512M8D3LA-12BIN.pdf
    2.AS4C512M8D3LA-12BIN.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3L
  • Paquete del dispositivo
    78-FBGA (10.5x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    78-VFBGA
  • Otros nombres
    1450-1402
    AS4C512M8D3LA-12BIN-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x9)
  • Frecuencia de reloj
    800MHz
  • Tiempo de acceso
    20ns

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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AS4C512M8D3LB-12BAN

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