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AS4C64M16MD2-25BCNTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C64M16MD2-25BCNTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    AS4C64M16MD2-25BCNTR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Paquete del dispositivo
    134-FBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    134-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (64M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 400MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    400MHz

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD2A-25BCNTR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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AS4C64M16MD1-6BCNTR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

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AS4C64M16MD2-25BCN

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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