Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C64M32MD1-5BCN
RFQs/Orden (0)
español
español
5533131Imagen AS4C64M32MD1-5BCNAlliance Memory, Inc.

AS4C64M32MD1-5BCN

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1+
$11.60
10+
$10.741
25+
$10.498
50+
$10.44
100+
$9.191
348+
$8.736
696+
$8.647
1044+
$8.359
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C64M32MD1-5BCN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    90-VFBGA
  • Otros nombres
    1450-1304
    AS4C64M32MD1-5BCN-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (64M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns
AS4C64M16MD2-25BCN

AS4C64M16MD2-25BCN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD1-6BCNTR

AS4C64M16MD1-6BCNTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD2-25BCNTR

AS4C64M16MD2-25BCNTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD1-6BIN

AS4C64M16MD1-6BIN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M32MD1-5BCNTR

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD1-6BCN

AS4C64M16MD1-6BCN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD2A-25BCN

AS4C64M16MD2A-25BCN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD1A-5BINTR

AS4C64M16MD1A-5BINTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD1-6BINTR

AS4C64M16MD1-6BINTR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C64M16MD1A-5BIN

AS4C64M16MD1A-5BIN

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir