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Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOB412L

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Especificaciones

Número de pieza

AOB412L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D²Pak)
Serie

SDMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

15.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.6W (Ta), 150W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A (Ta), 60A (Tc)

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