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1256586

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOB482L

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Especificaciones

Número de pieza

AOB482L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

3.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D²Pak)
Serie

SDMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

6.9 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 333W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

785-1214-2
AOB482
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4870pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

81nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 11A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 105A (Tc)

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