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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > AOI444

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497747

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOI444

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Especificaciones

Número de pieza

AOI444
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 4A TO251A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOI444.pdf
2.AOI444.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251A
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 20W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 4A (Ta), 12A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Through Hole TO-251A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta), 12A (Tc)

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