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3013219

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOI4S60

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Especificaciones

Número de pieza

AOI4S60
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOI4S60.pdf
2.AOI4S60.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251A
Serie

aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

900 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

56.8W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

263pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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