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Imagen AON4407L_002

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON4407L_002

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Especificaciones

Número de pieza

AON4407L_002
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AON4407L_002.pdf
VGS (th) (Max) @Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DFN (3x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN (3x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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