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1961115

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON3810

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Especificaciones

Número de pieza

AON3810
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON3810.pdf
2.AON3810.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (2.9x2.3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

785-1131-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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