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3810049Imagen AON6403L_APPAlpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON6403L_APP

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  • Número de pieza
    AON6403L_APP
  • Fabricante / Marca
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 8DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-DFN-EP (5x6)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.1 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9120pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    196nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 21A (Ta), 85A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    21A (Ta), 85A (Tc)

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