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Imagen AON6405L_102

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON6405L_102

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Especificaciones

Número de pieza

AON6405L_102
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-DFN-EP (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 83W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

105nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 15A (Ta), 30A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 30A (Tc)

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