AOU7S65

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Especificaciones

Número de pieza

AOU7S65
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOU7S65.pdf
2.AOU7S65.pdf
3.AOU7S65.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251-3
Serie

aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

650 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

89W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

785-1523-5
AOU7S65-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

434pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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