SIRA26DP-T1-RE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

3000+

$0.308

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

SIRA26DP-T1-RE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIRA26DP-T1-RE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

43.1W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Otros nombres

SIRA26DP-T1-RE3-ND
SIRA26DP-T1-RE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

22 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2247pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 60A (Tc) 43.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "SIRA26DP-T1-RE3".

SIRA52ADP-T1-RE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

SIRA26DP-T1-RE3

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Contrapunto: Para 2024, el envío global de sensores de ima...

El chip de 2NM de TSMC se producirá en masa en la segunda ...

Fuerte demanda de chips analógicos, el pronóstico de ingr...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institución: se espera que el chip auto-desarrollado de Ap...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM CEO advierte sobre los riesgos de suministro de chips y...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics actualiza la tecnología de chips...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Global Semiconductor Tariff Surge: Supply Chain Shifts...

SK Hynix planea invertir más de KRW 20 billones este año ...

Seleccione el idioma

Idioma actual