1N4007 TR

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Especificaciones

Número de pieza

1N4007 TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

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Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1N4007 TR.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1A
Tensión - Desglose

DO-41
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

DO-204AL, DO-41, Axial
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

22 Weeks
Número de pieza del fabricante

1N4007 TR
Descripción ampliada

Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-41
configuración de diodo

5µA @ 1000V
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.1V @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

1000V (1kV)
Capacitancia Vr, F

-65°C ~ 175°C

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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)

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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO-41

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)

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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Fabricantes: Comchip Technology

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