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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N4006RL
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2999831Imagen 1N4006RLAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4006RL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4006RL
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N4006RL.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    DO-41
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Otros nombres
    1N4006RLOSTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    1N4006

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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