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CEDM8004VL TR

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Especificaciones

Número de pieza

CEDM8004VL TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
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Descripción

MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CEDM8004VL TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-883VL
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

100mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

CEDM8004VL TR PBFREE
CEDM8004VL TR-ND
CEDM8004VLTR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.88nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 450mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount SOT-883VL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

450mA (Ta)

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