TK12A60W,S4VX

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Especificaciones

Número de pieza

TK12A60W,S4VX
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK12A60W,S4VX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.7V @ 600µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220SIS
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 5.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

35W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "TK12A60W,S4VX".

TK12A60D(STA4,Q,M)

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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