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BR1010-G

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50+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    BR1010-G
  • Fabricante / Marca
    Comchip Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    BRIDGE DIODE 10A 1000V BR
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BR1010-G.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    1kV
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 25A
  • Tecnología
    Standard
  • Paquete del dispositivo
    BR
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    4-Square, BR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    QC Terminal
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV QC Terminal BR
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A

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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A PB-6

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RFQ
BR101-BP

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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A PB-6

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
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RFQ
BR1010SG-G

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Descripción: BRIDGE RECTIFIER 10A 1000V BR8 R

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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A PB-6

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Descripción: DIODE BRIDGE 100V 10A BR-10

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: BRIDGE RECTIFIER 10A 600V BR8 RO

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Descripción: BRIDGE DIODE 10A 400V BR-W

Fabricantes: Comchip Technology
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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A PB-6

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Descripción: DIODE BRIDGE 200V 10A BR-10

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Descripción: DIODE BRIDGE 1000V 10A BR-10

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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A PB-6

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Descripción: BRIDGE RECTIFIER 10A 800V BR8 RO

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Descripción: DIODE BRIDGE 400V 10A BR-10

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A PB-6

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BR108

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Descripción: DIODE BRIDGE 800V 10A BR-10

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
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