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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY14B104NA-BA45XET
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4262180Imagen CY14B104NA-BA45XETCypress Semiconductor

CY14B104NA-BA45XET

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY14B104NA-BA45XET
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC NVSRAM 4M PARALLEL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY14B104NA-BA45XET.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    45ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    48-FBGA (6x10)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    48-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    NVSRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 48-FBGA (6x10)
  • Tiempo de acceso
    45ns

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Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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