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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY14B104NA-ZS20XI
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6192329Imagen CY14B104NA-ZS20XICypress Semiconductor

CY14B104NA-ZS20XI

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270+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY14B104NA-ZS20XI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY14B104NA-ZS20XI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    20ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    428-4432
    CY14B104NA-ZS20XI-ND
    CY14B104NAZS20XI
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    NVSRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 20ns 44-TSOP II
  • Número de pieza base
    CY14B104
  • Tiempo de acceso
    20ns

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Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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