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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C10612DV33-10ZSXI
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3112872Imagen CY7C10612DV33-10ZSXICypress Semiconductor

CY7C10612DV33-10ZSXI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY7C10612DV33-10ZSXI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CY7C10612DV33-10ZSXI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    10ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    428-3276-5
    CY7C10612DV33-10ZSXI-ND
    CY7C10612DV3310ZSXI
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Mb (1M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 10ns 54-TSOP II
  • Número de pieza base
    CY7C10612
  • Tiempo de acceso
    10ns

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Descripción: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

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