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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C10612GE30-10ZSXI

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Imagen CY7C10612GE30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

CY7C10612GE30-10ZSXI

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Especificaciones

Número de pieza

CY7C10612GE30-10ZSXI
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CY7C10612GE30-10ZSXI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

10ns
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

54-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

16Mb (1M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 10ns 54-TSOP II
Tiempo de acceso

10ns

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