CYDM256B16-40BVXIT

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Especificaciones

Número de pieza

CYDM256B16-40BVXIT
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

40ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Dual Port, MoBL
Paquete del dispositivo

100-VFBGA (6x6)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

100-VFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Kb (16K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6)
Número de pieza base

CYDM
Tiempo de acceso

40ns

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