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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CYDMX064B16-65BVXI
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5037057Imagen CYDMX064B16-65BVXICypress Semiconductor

CYDMX064B16-65BVXI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CYDMX064B16-65BVXI
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    CYDMX064B16-65BVXI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    65ns
  • Suministro de voltaje
    1.8 V ~ 3.3 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, MoBL
  • Paquete del dispositivo
    100-VFBGA (6x6)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    100-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Kb (4K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 64Kb (4K x 16) Parallel 65ns 100-VFBGA (6x6)
  • Número de pieza base
    CYDMX
  • Tiempo de acceso
    65ns

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Descripción: IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

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Descripción: IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

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