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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > DDA114EU-7

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Imagen DDA114EU-7

Diodes Incorporated

DDA114EU-7

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Especificaciones

Número de pieza

DDA114EU-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

DDA114EU-7.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

SOT-363
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

DDA114EUDITR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

DDA114

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