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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > DDA114YH-7

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Imagen DDA114YH-7

Diodes Incorporated

DDA114YH-7

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Especificaciones

Número de pieza

DDA114YH-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DDA114YH-7.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

SOT-563
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

DDA114YH-7-ND
DDA114YH-7DITR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

DDA114

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