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Imagen DMN2027LK3-13

Diodes Incorporated

DMN2027LK3-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN2027LK3-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2027LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.14W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

DMN2027LK3-13DITR
DMN2027LK313
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

857pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 11.6A (Ta) 2.14W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.6A (Ta)

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